Выключатель напряжения по истечении времени

Выключатель напряжения иконка

Некоторые портативные электронные приборы питаются от батарей и работают эпизодически. Причём пользователи часто забывают выключить такие устройства, в результате батареи быстро разряжаются. Например, у некоторых мультиметров отсутствует функция автоматического отключения питания. Для этого и предназначен этот простейший модуль. А главный плюс рассматриваемой схемы — предельно низкое потребление тока в состоянии покоя.

Схема устройства отключения

Устройство автоматического отключения батареи — это простая схема-таймер, автоматически разъединяющая питание через заданный интервал времени. Схема может быть встроена в прибор или использоваться как промежуточный адаптер между батареей и нагрузкой.

Выключатель напряжения по истечении времени

Управление энергообеспечением реализовано очень просто: одно нажатие кнопки подаёт питание и запускает таймер; повторное нажатие в ходе рабочего периода увеличивает время работы.

Основные характеристики

  • Регулируемое время работы, что задаётся ёмкостью таймерного конденсатора.
  • Ключевой элемент — MOSFET (управление силовой линией).
  • Состояние индицируется светодиодом.
  • Ток потребления в ждущем режиме порядка 1 µA.
  • Максимальный рабочий ток до 10 А (при использовании мощного MOSFET в корпусе TO-220).
  • Рабочее питание: 6–15 В в типовой конфигурации.
  • Размеры печатной платы: 44 × 33 мм; SMD-версия: 17.1 × 16.7 мм.

Выключатель напряжения по истечении времени

Вместо механического выключателя или реле в силовой линии применяется низкоомный MOSFET (например, BUZ10/BUZ11, IRF530/IRF540 или аналог с R_DS(on) ≤ 0.05 Ом и допустимым током > 20 А). Для низковольтных приложений предпочтительны logic-level MOSFET с низким порогом затвора.

Принцип работы выключателя

  1. При нажатии кнопки S1 конденсатор C2 ранее заряжен и разряжается — после отпускания кнопки C2 начинает медленно заряжаться через цепь базовой/затворной подпитки через резистор R3 100 кОм и соответствующие переходы транзисторов.
  2. По мере нарастания напряжения по цепи включается транзистор T1 (BC558), что даёт питание на резистор R6 (100 кОм) и на затвор MOSFET. MOSFET полностью открывается и подаёт напряжение батареи на нагрузку; одновременно загорается светодиод D1.
  3. Ток через D1 создаёт небольшое падение на резисторе R1 (100 Ом), что обеспечивает положительную обратную связь и помогает удерживать включённое состояние транзистора BC558.
  4. По мере разряда/ограничения зарядного тока конденсатора C2 ток заряда падает, транзистор BC558 начинает закрываться, напряжение на R6 падает и MOSFET начинает закрываться.
  5. Падение выходного напряжения уменьшает падение на R1, что ускоряет выключение — выходное напряжение падает за очень короткий промежуток времени. Без этой положительной обратной связи выключение было бы медленным и неприемлемым.
  6. В установившемся выключенном состоянии оба транзистора закрыты, C2 заряжен до напряжения батареи и схема потребляет практически нулевой ток — только токи утечки конденсатора и транзисторов, порядка наноампер.

На выход добавлен конденсатор 100 нФ для подавления самовозбуждений подключённой нагрузки. При желании C1 (там, где вы хотите более медленное выключение индикатора) можно увеличить до 220–470 мкФ — светодиод и выход будут гаснуть плавнее (в течение секунды или дольше), а не мгновенно.

Параметры времени

Время работы задаётся ёмкостью C2 и сопротивлением R3; практическая эмпирика:

  • 10 мкФ ≈ 5 с проверочный режим,
  • 100 мкФ ≈ ~1 минута,
  • 220 мкФ ≈ ~2 минуты.

Фактическое время зависит от допусков электролитических конденсаторов (±20…+50 %) и от тока утечки, так что показатели нужно калибровать экспериментально.

  • В рабочем режиме общая потребляемая мощность определяется током светодиода (~2 мА при 9 В).
  • В ждущем режиме — практически нулевой ток.

Рекомендации по компонентам

  • Версия платы SMD-DIP использует MOSFET в корпусе SOT-23, поэтому выходной ток у неё будет значительно ниже, чем у TO-220. Для токов выше пары ампер используйте MOSFET в корпусе с низким R_DS(on) и надёжным тепловыводом.
  • Для работы с напряжениями ниже 6 В выбирайте MOSFET с низким порогом V_GS(th) logic-level.
  • Не рекомендуется работать выше 16 В, так как теперь критично допустимое V_GS (обычно ±20 В) и максимальные допустимые напряжения транзистора; также учтите номинал конденсаторов.
  • Диод D1 обеспечивает небольшое падение и формирует обратную связь. При необходимости можно использовать быстрый диод или Шоттки для снижения потерь.

Проверка и отладка

  1. Для быстрой проверки замените C2 (220 мкФ ) на 10 мкФ — при нажатии кнопки индикатор должен гаснуть ≈ через 5–6 с.
  2. После проверки припаять конденсатор требуемой ёмкости для достижения нужного времени.
  3. Обратите внимание на разброс ёмкостей электролитов — если требуется точность, используйте тантал или соответствующие электролиты и проведите калибровку.

Контролируйте допустимое напряжение затвор-исток MOSFET. При использовании батарей с напряжением ближе к допустимому предельному значению добавьте цепочку делителей или защитный диод для ограничения V_GS. Для повышения надёжности при больших токах добавьте термодатчик или защиту от перегрева и короткого замыкания. При требовании очень низкого расхода энергии выбирайте транзисторы с минимальным током утечки, а также соответствующие конденсаторы.

Оцените полезность информации:

4.6 / 5. Голосов: 5

Расскажите, что надо исправить?